Samsung cho biết họ đang chuẩn bị ra mắt những con chip xử lý 10nm dựa trên các transistor siêu nhỏ, được tạo ra nhờ công nghệ FinFET . Con chip xử lý mới này có thể sẽ được trang bị cho Galaxy S8. Tuy nhiên kế hoạch này đang vấp phải một trở ngại lớn.
The Korea Herald báo cáo, Viện nghiên cứu Khoa học và công nghệ tiên tiến của Hàn Quốc (KAIST) có trụ sở tại Mỹ đang lên kế hoạch để kiện Samsung ra tòa vì hành vi đánh cắp bằng sáng chế. KAIST khẳng định rằng công nghệ transistor FinFET là do họ nghiên cứu ra và Samsung đã đánh cắp một cách trắng trợn.
KAIST cho biết rằng Samsung đã lợi dụng việc mời giáo sư Lee Jong-ho thuộc Đại học Quốc gia Seoul đến thuyết trình cho các kỹ sư của Samsung về công nghệ FinFET. Giáo sư Lee Jong-ho chính là người nghiên cứu công nghệ transistor FinFET và là một trong những đối tác của KAIST.
Công nghệ bóng bán dẫn FinFET là chìa khóa để các nhà sản xuất có thể tạo ra những con chip 10nm siêu nhỏ, mà không làm ảnh hưởng tới hiệu năng. Do công nghệ bóng bán dẫn truyền thống sẽ làm rò rỉ điện năng nếu thu nhỏ kích thước. Hiện tại không chỉ có Samsung, mà ngay cả Qualcomm, TSMC và Intel đều đang sử dụng công nghệ FinFET để chế tạo những con chip 14nm hoặc 10nm.
Tuy nhiên, chỉ có Intel là đã được cấp bằng sáng chế từ phía KAIST. Trong khi đó, Samsung và Qualcomm, TSMC chưa có được sự đồng ý của KAIST. Cũng chính vì vậy, sau khi khởi kiện Samsung, KAIST sẽ tiếp tục tính đến việc khởi kiện cả Qualcomm và TSMC.
Nếu thua kiện, có thể các nhà sản xuất này sẽ phải đền bù một khoản tiền không nhỏ.
Tham khảo: sammobile
Nguồn: Genk.vn