Chiếc smartphone flagship Galaxy S8 của Samsung vẫn chưa được ra mắt, cũng chưa có nhiều thông tin rò rỉ về hiệu năng hay điểm số benchmark. Nhưng có một điều chắc chắn, đó là Galaxy S8 sẽ nhanh và mạnh hơn Galaxy S7.
Đó là điều tất nhiên, nhưng vấn đề là nhanh và mạnh hơn bao nhiêu? Tại CES 2017, chúng ta đã có được một thông tin khá quan trọng để có thể trả lời câu hỏi trên. Đó chính là thông tin về bộ vi xử lý Snapdragon 835 mới nhất của Qualcomm, mà sẽ được trang bị trong Samsung Galaxy S8.
Samsung Galaxy S8 sẽ được trang bị chip Snapdragon 835 nhỏ hơn, nhưng nhanh và mạnh hơn.
Được xây dựng trên nền tảng 10nm FinFET, Snapdragon 835 sẽ nhỏ hơn đáng kể so với người tiền nhiệm Snapdragon 820 trong Galaxy S7 và hầu hết smartphone flagship năm 2016. Tuy nhiên nhỏ hơn không có nghĩa là yếu hơn.
Khi so sánh, Qualcomm cho biết Snapdragon 835 sẽ có tốc độ nhanh hơn tới 20% so với Snapdragon 820. Mà từ đó, chúng ta có thể hy vọng rằng Galaxy S8 cũng sẽ có tốc độ xử lý nhanh hơn 20% so với người tiền nhiệm Galaxy S7.
Hiệu năng xử lý trên mức tiêu thụ pin của Snapdragon 835 được đánh giá là cao hơn 25% so với Snapdragon 820. Tuy nhiên chúng ta không thể kỳ vọng rằng Galaxy S8 cũng đạt được mức hiệu năng như vậy, bởi nó còn phụ thuộc vào nhiều yếu tố khác, sự khác biệt có thể chỉ là 10 - 15%.
Bù lại, bộ vi xử lý mới của Qualcomm sẽ hỗ trợ các công nghệ sạc nhanh mới nhất. Snapdragon 835 có hỗ trợ kết nối USB Type-C (bao gồm cả sạc pin thông qua cổng kết nối này), cùng với công nghệ Quick Charge 4.
Công nghệ sạc nhanh này cho phép tăng hiệu quả lên 20 - 30% và giúp làm giảm nhiệt độ khi sạc thêm 5 độ C. Nhờ đó, những chiếc Galaxy S8 sẽ chỉ cần sạc trong 5 phút là đủ để dùng trong 5 giờ đồng hồ.
Snapdragon 835 cũng hỗ trợ bộ nhớ RAM LPDDR4x với bus 1866MHz, giống Snapdragon 820. Vì vậy tốc độ truy xuất sẽ không có quá nhiều khác biệt, tuy nhiên Galaxy S8 có thể là smartphone đầu tiên được trang bị 8GB RAM để giúp cải thiện khả năng đa nhiệm.
Bên cạnh việc tăng tốc khả năng xử lý, Snapdragon 835 cũng hứa hẹn sẽ cải thiện tốc độ truyền tải dữ liệu di động nhờ modem LTE mới. Bộ vi xử lý này được trang bị modem LTE X16, hỗ trợ tốc độ download lên đến 1 gigabit và upload 150 megabit.
Tốc độ kết nối Wi-Fi sẽ được cải thiện nhờ công nghệ 4×4 MU-MIMO, giúp tăng lên mức tối đa 4,6 gigabit/s. Snapdragon 835 cũng hỗ trợ kết nối Bluetooth 5.0 mới nhất, đây là bộ vi xử lý đầu tiên chính thức hỗ trợ kết nối này.
Đặc biệt, Snapdragon 835 cải tiến khả năng xử lý hình ảnh. Nó được tích hợp một bộ vi xử lý tính hiệu hình ảnh 14-bit, giúp hỗ trợ một camera đơn 32MP hoặc camera kép với mỗi camera là 16MP. Chúng ta cũng có thể kỳ vọng vào khả năng zoom và ổn định hình ảnh của Galaxy S8 sẽ được cải thiện đáng kể.
Cuối cùng, Galaxy S8 sử dụng chip Snapdragon 835 sẽ hỗ trợ tốt hơn video độ phân giải 4K, video HDR. Chip đồ họa tích hợp Adreno 540 cũng sẽ giúp Galaxy S8 có khả năng xử lý đồ họa 3D tốt hơn 25% so với Galaxy S7, trải nghiệm game sẽ tuyệt vời hơn.
Galaxy S8 được dự đoán sẽ ra mắt vào sự kiện Mobile World Congress diễn ra tới cuối tháng 2.
Tham khảo: BGR
Nguồn: Genk.vn