Theo báo cáo trước đây, Samsung sẽ công bố nguyên nhân khiến cho những chiếc Galaxy Note7 phát nổ vào cuối năm nay. Nhưng ngày hôm qua, đã có báo cáo đầu tiên tiết lộ nguyên nhân là do thiết kế của những viên pin trong Note7.
Theo đó, chính thiết kế quá chèn ép của viên pin có thể là nguyên nhân khiến cho những chiếc Note7 bốc cháy và phát nổ. Những viên pin này có cấu tạo gồm một bên điện cực làm bằng lithium cobalt oxide và một bên điện cực than chì, chúng được cách ly bởi 2 lớp polymer thấm chất dẫn điện.
Bởi nếu 2 điện cực này tiếp xúc trực tiếp với nhau, chúng sẽ gây ra một vụ nổ. Chính vì vậy mà có nhiều trường hợp smartphone bị va đập, khiến cho pin biến dạng và làm 2 điện cực này siết chặt đủ đến mức vượt qua lớp polymer, cũng gây cháy nổ.
Đối với những viên pin của Note7, Samsung thừa nhận thiết kế quá chèn ép để đảm bảo độ mỏng của chiếc smartphone. Và do thiết kế này mà 2 điện cực bên trong bị ép sát lại với nhau, khiến cho nguy cơ cháy nổ dễ xảy ra hơn bình thường.
Theo báo cáo của Instrumental: “Các kỹ sư của Samsung đã chấp nhận rủi ro, khi thiết kế những viên pin quá mỏng và khoảng trống ở bên trong chiếc Note7 là quá ít, để có thể tăng tối đa hiệu năng. Samsung tiến hành thử nghiệm sản phẩm trong các phòng thí nghiệm của riêng mình, chính điều đó dẫn đến việc các lỗi này có thể bị bỏ xót”.
Không gian bên trong Note7 quá ít ỏi, khiến cho những viên pin bị chèn ép và dẫn đến phát nổ.
Nhóm kiểm định này còn khẳng định rằng, nếu Note7 không được thu hồi trên toàn thế giới, sẽ đến một lúc nào đó tất cả những chiếc Note7 này đều phát nổ. Đó là một lỗi thiết kế và không thể tránh khỏi, cho dù người dùng có sử dụng cẩn thận như thế nào đi nữa.
Samsung vẫn chưa đưa ra nguyên nhân chính thức, nhưng rất có thể là cùng một nguyên nhân giống với báo cáo của Instrumental. Đó là do lỗi thiết kế bên trong quá ít không gian của Note7 và những viên pin quá mỏng để có thể đạt hiệu năng tối đa, trong khi vẫn đảm bảo độ mỏng của chiếc smartphone.
Tham khảo: phonearena
Nguồn: Genk.vn
Software Development Intern / Thực tập sinh Phát triển Phần mềm
Công ty TNHH Giải pháp Data V Tech
Địa điểm: Hồ Chí Minh
Lương: Cạnh Tranh
Quận 7 - Kỹ sư phát triển phần mềm
CÔNG TY TNHH POLYTEX FAR EASTERN (VIỆT NAM)
Địa điểm: Hồ Chí Minh
Lương: Cạnh Tranh
Chuyên viên Hỗ trợ phát triển ứng dụng
Địa điểm: Hà Nội
Lương: Cạnh Tranh
NHÂN VIÊN PHÁT TRIỂN DỰ ÁN AI CHO TẬP ĐOÀN HÀNG ĐẦU TẠI MỸ
Chương trình Học viện Công nghệ BKACAD
Địa điểm: Hà Nội
Lương: Cạnh Tranh
Hỗ trợ phát triển sản phẩm (Product)
Địa điểm: Hồ Chí Minh
Lương: Cạnh Tranh
Phó phòng phát triển ứng dụng Ngân hàng điện tử - TT Phát triển ứng dụng
Ngân hàng TMCP Phát triển TP.HCM (HDBank)
Địa điểm: Hồ Chí Minh
Lương: Cạnh Tranh
[Haga, Japan] Automotive Exteriors Design Engineer
Địa điểm: Yokohama
Lương: 100 Tr - 200 Tr VND
Kỹ sư Phát triển Fullstack - Khối Công nghệ thông tin (HOLT.04)
Địa điểm: Hà Nội
Lương: Cạnh Tranh
Kỹ Sư Phát Triển BackEnd - Khối Công nghệ thông tin (HOLT.03)
Địa điểm: Hà Nội
Lương: Cạnh Tranh
[HAGA - JAPAN] Automotive Exteriors Design Engineer
Địa điểm: Tokyo
Lương: 92 Tr - 150 Tr VND