Quan trọng hơn nữa, công nghệ này của Samsung sẽ giúp tăng mức bộ nhớ đệm trong card đồ họa lớn hơn nhiều so với số lượng ở hiện tại.
Công nghệ bộ nhớ này của Samsung có tên gọi là "Flashbolt", có thể đạt tối đa 3,2Gbps trên mỗi chân pin. Nó có mật độ 16Gb trên mỗi die, gấp đôi dung lượng so với thế hệ trước, và sẽ có 8 die được xếp lớp chồng lên nhau (stack). Điều này giúp tăng lên tối đa 16GB cho mỗi stack. Với mức 3,2Gbps trên bus 1.024-bit, một stack có thể đạt mức băng thông lên đến 410GB/s.
Theo PCGamer, điểm thú vị là nếu sử dụng 4 stack Flashbolt kết hợp với bộ xử lý đạt bus 4.096-bit có thể tăng dung lượng bộ nhớ lên đến 64GB, băng thông 1,64TB/s.
Trên thực tế, chiếc card đồ họa Radeon VII của AMD mới ra mắt gần đây đã đạt được dung lượng 16GB HBM2 với băng thông 1TB/s. Để làm được điều này, AMD đã sử dụng 4 stack bộ nhớ, thay vì chỉ sử dụng một stack đơn như Flashbolt.
"Hiệu năng vượt trội của Flashbolt sẽ cung cấp các giải pháp tiên tiến cho những trung tâm dữ liệu, trí tuệ nhân tạo, máy học và ứng dụng đồ họa thế hệ tiếp theo", Jinman Han, Phó Chủ tịch cấp cao của nhóm Kỹ thuật ứng dụng và lên kế hoạch sản phẩm bộ nhớ tại Samsung Electronics cho biết. "Chúng tôi sẽ tiếp tục mở rộng khả năng cung cấp DRAM cao cấp của mình và cải thiện phân khúc bộ nhớ hiệu năng, dung lượng cao và tiêu tốn ít điện năng để đáp ứng nhu cầu của thị trường".
Dù vậy, sẽ còn rất lâu để đưa công nghệ này vào các sản phẩm tiêu dùng bởi các mục đích chuyên nghiệp lại thực sự cần nó hơn thay vì cho nhu cầu chơi game. Không có gì lạ khi những công nghệ tiên tiến luôn xuất hiện trong các máy chủ và trung tâm dữ liệu trước khi phổ cập đến môi trường người tiêu dùng.
Dĩ nhiên, nhược điểm của nó vẫn là mức giá. HBM2 hiện vẫn có giá tương đối đắt so với GDDR5/6. Trong khi đó, GDDR lại ngược lại do cung cấp mật độ thấp hơn, tuy nhiên, không phải không có lý do mà nó đột nhiên biến mất.
Hiện Samsung chưa công bố thời điểm sẽ sản xuất HBM2E hàng loạt.
Nguồn: GenK.vn
Job Functions
CareerViet.vn
