[CES 2017] Qualcomm công bố Snapdragon 835: 10nm, sạc 5 phút dùng 5 giờ, stream 4K hơn 7 giờ, xử lí đồ hoạ 3D nhanh hơn 25 lần

Ước mơ về một thế hệ điện thoại mới với kích thước mỏng hơn, nhẹ hơn, chạy nhanh hơn và sử dụng năng lượng hiệu quả hơn đã đến rất gần. Vừa qua, nhà sản xuất chip Qualcomm đã công bố dòng Snapdragon 835 mới nhất của mình tại hội nghị Snapdragon Technology Summit ở New York.

 

Cụ thể, con chip mới này được xây dựng bằng quy trình FinFET 10nm. Có nghĩa rằng nó sẽ gọn nhẹ hơn dòng Snapdragon 821, vốn được xây dựng bằng công nghệ 14nm. Qualcomm cho biết kiến trúc mới này sẽ tích hợp thêm 30% số bóng bán dẫn trên cùng một diện tích, như vậy nó sẽ có kích thước nhỏ hơn, giúp các điện thoại sử dụng chip này sẽ có kích thước mỏng và nhẹ. Đồng thời, chip Snapdragon 835 sẽ có hiệu suất tăng hơn 27% và mức độ sử dụng năng lượng giảm 40%.

 

Một điểm đáng chú ý khác bao gồm công nghệ sạc siêu nhanh. Thế hệ Quick Charge 4.0 mới sẽ tăng tốc độ sạc lên 20% và mức độ sử dụng hiệu quả năng lượng sẽ tăng 30% hơn Quick Charge 3.0. Như vậy, chỉ với 5 phút sạc, người dùng sẽ được thêm 5 giờ sử dụng pin, hay 15 phút sạc sẽ làm đầy 50% lượng pin.

Qualcomm cho biết công nghệ sạc mới sẽ tương thích với cả cổng giao tiếp USB Type-C và các chuẩn USB khác được phê chuẩn bởi diễn đàn USB-Implementers. Theo công bố của hãng, những thiết bị sử dụng Snapdragon 835 sẽ có thời lượng gọi điện hơn 1 ngày, nghe nhạc hơn 5 ngày, stream video 4K hơn 7 giờ và chơi game VR hơn 2 giờ.

 

Về cấu hình, dòng Snapdragon 835 sẽ được trang bị CPU 8 nhân Kryo 280. Trong đó sẽ có 4 nhân chạy với tốc độ 2,45GHz, đây là những nhân hoạt động với hiệu suất cao nhất để xử lí những tác vụ nặng. 4 nhân còn lại sẽ chạy với tốc độ 1,9Ghz cho mục đích hiệu quả năng lượng. Khoảng 80% thời gian hoạt động của điện thoại sẽ sử dụng những nhân tốc độ thấp như thế này, chỉ khi nào người dùng mở những trang web nặng, chơi game đồ họa nhiều hay sử dụng tính năng VR thì các nhân xử lí tốc độ cao mới hoạt động.

Đặc biệt, Snapdragon 835 sẽ được tích hợp chip modem X16 LTE cho phép tốc độ download dữ liệu lên đến 1 Gbps, nhanh hơn 10 lần so với công nghệ 4G LTE, cùng công nghệ 802.11ad và 2x2 11ac MU-MIMO Wi-Fi giúp mạng không dây có tốc độ nhanh không kém so với mạng cáp quang. Đặc biệt, chip Snapdragon 835 sử dụng năng lượng ít hơn 60% khi đang kết nối Wi-Fi so với công nghệ chip Wi-Fi trước đó.

Ngoài ra, thế hệ chipset mới này sẽ hỗ trợ camera có độ phân giải 32MP, hoặc 2 camera 16MP. Nó sẽ được trang bị công nghệ Clear Sight cho những thiết bị có camera đôi, giúp tăng độ nét và giảm nhiễu hình ảnh chụp trong điều kiện ánh sáng yếu. Qualcomm cũng cải thiện sự mượt mà khi zoom quang và tích hợp công nghệ ổn định hình ảnh điện tử, và thêm vào khả năng quay video 4K 30 fps. Khả năng xử lí ánh HDR và chụp trong ánh sáng yếu cũng được cải thiện đáng kể.

Snapdragon 835 sẽ có khả năng trình chiếu nội dung video 4K 60fps, đồng thời chip xử lí đồ họa Adreno 540 mới sẽ có tốc độ xử lí 3D nhanh hơn 25 lần so với Adreno 530. Thế hệ chip này không tương thích với platform VR Daydream của Google. Adreno 540 sẽ có khả năng hỗ trợ OpenGL ES 3.2, OpenCL 2.0, Vulkan và DirectX 12.

Về bảo mật, Snapdragon 835 sẽ dùng nền tảng Qualcomm Haven Security để bảo vệ thiết bị "từ gốc đến ngọn" bao gồm SoC, thiết bị và phần mềm. Nó sẽ kết hợp các phương thức bảo mật như mã PIn, vân tay, mống mắt và gương mặt để xác thực.

Công nghệ Bluetooth 5 mới trên Snapdragon 835 sẽ có băng thông rộng gấp đôi, khoảng cách kết nối tăng 4 lần so với thế hệ Bluetooth 4.2 hiện nay, đây là con chip đầu tiên trên thế giới được tích hợp chuẩn Bluetooth 5.

Khả năng cao các điện thoại flagship như LG G6, HTC 11 và Samsung Galaxy S8 sẽ được trang bị Snapdragon 835 trong năm nay.

Tổng hợp

Nguồn: Genk.vn